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二酸化チタンの表面光起電力から探る空間電荷層内での光励起キャリアのダイナミクス
小澤, 健一; 山本, 達; 湯川, 龍 ...
日本物理学会講演概要集,
2017
Journal Article
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酸化物半導体における光励起キャリアの挙動は,半導体結晶内部と表面・界面近傍では大きく異なる。これは,表面・界面近傍には空間電荷層(SCL)が形成されており,励起キャリアはSCLのポテンシャル勾配に沿って運動するためである。そのため,キャリア寿命はSCLのポテンシャル構造に依存することが容易に想像できるが,これまでの研究ではこの効果を考慮したものがほとんどなかった。本研究では,表面光起電力の時間分解測定から,二酸化チタン表面近傍に形成されたSCL内でのキャリアダイナミクスを検証し,ポテンシャル構造やSCL内に存在するキャリアトラップ準位密度の影響を明らかにした。
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