straipsnis, santrauka, reikšminiai žodžiai lietuvių kalba; santrauka ir reikšminiai žodžiai anglų kalba Anksčiau atliktų tyrimų rezultatai rodo, kad kochlearinė (klausos) implantacija kartu su ...nuosekliai įgyvendinama klausos lavinimo programa gali užtikrinti sėkmingą kurčių vaikų socialinę integraciją. Kochlearinė implantacija Lietuvoje atliekama nuo 1998 metų. Iki 2017 metų pabaigos šalyje implantuoti 377 asmenys, dauguma iš jų – vaikai. Daugelis šios srities tyrimų yra skirta klinikiniams ar technologiniams kochlearinės implantacijos aspektams nagrinėti, tačiau trūksta darbų, kuriuose būtų nagrinėjami sveikatos politikos ir socialinės integracijos klausimai. Straipsnyje apžvelgiama dabartinė kochlearinės implantacijos sistema, implantacijų paplitimas ir paciento kelias. Tyrime derinami teisės aktų bei kitų dokumentų analizės ir aprašomosios statistikos metodai. Straipsnio autorių žiniomis, tai pirmas tyrimas, skirtas kochlearinės implantacijos sistemos apžvalgai Lietuvoje.
Background. The best way to avoid undesirable multiple pregnancies following in vitro fertilization procedure (IVF) is to perform elective single embryo transfer, but the procedure might result in a ...reduction of the pregnancy rates. Aim of our study was to establish whether a single blastocyst transfer using a hyaluronan rich transfer medium results in higher pregnancy rates in comparison to the transfer using a conventional transfer medium. Material and methods. Our prospective randomized study included 107 patients enrolled in the 1st, 2nd and 3rd classical IVF or intracytoplasmic sperm injection (ICSI) treatment attempt. Patients included were under 37 years of age with at least one blastocyst developed in the procedure. In the study group (47 patients) blastocyst transfers using the hyaluronan rich transfer medium were performed and in the control group (60 patients) the conventional medium was used. The pregnancy rates in the study and in the control group were compared. Results. The average pregnancy rate per single blastocyst transfer was 30 %; there were no twin pregnancies. The single blastocyst transfer using hyaluronan resulted in a non-significantly higher pregnancy rate (11 %). A significantly higher pregnancy rate with the use of hyaluronan was found in the subgroup of patients with two or more blastocysts developed in their 2nd and 3rd IVF attempt (p = 0.045). Conslusions. The single blastocyst transfer results in high implantation rates. Hyaluronan significantly contributes to higher implantation rates in a selected subgroup of patients following previous implantation failure and with multiple blastocysts developed.
Cilj rada: prikazati nove metode intervencijskog liječenja u Referentnom centru. Bolesnici i metode: Prikazani su slučajevi od 1. srpnja 2018. do 1. srpnja 2022. u kojih je učinjena nova procedura, ...neovisno o dobi i spolu. U analizu su uključeni svi pacijenti kojima je učinjena nova metoda intervencijskog liječenja s prikazom podležeće anatomske/hemodinamske patologije te prikazom nove metode. Rezultati: U navedenom periodu uvedeno je pet novih perkutanih metoda, učinjenih u ukupno 34 pacijenta. Učinjeno je trinaest intervencija umetanja stenta u trinaest pacijenata s koarktacijom aorte. Srednja dob pacijenata kojima je učinjen perkutani zahvat umetanja stenta u koarktaciju aorte jest 13,4 godine. U navedenom periodu u šestero pacijenata stenoza pulmonalne grane liječena je umetanjem stenta. Od toga je troje pacijenata bilo dojenačke dobi, jedno u dobi od šesnaest mjeseci, jedno u dobi od četiri godine te jedna pacijentica u dobi od petnaest godina. U tri bolesnika učinjeno je perkutano umetanje zalistka Melody (kravlja jugularna vena integrirana u prekriveni stent), srednje dobi kod zahvata 17,3 godine. Metodom dilatacije stenta, zbog razvoja restenoze, liječili smo deset pacijenata, kod čega sedam dilatacijom prethodno umetnutog stenta u rekoarktaciju aorte, dva pacijenta dilatacijom stenta umetnutog na poziciji restenoze pulmonalnih grana te jednog dilatacijom stenta u stenotičnoj gornjoj šupljoj veni. Peta metoda koje je uvedena jest zatvaranje aortopulmonalnih kolaterala u djece s univentrikulskom cirkulacijom. Učinjena je u dvoje djece, dojenčeta u dobi od četiri mjeseca i pacijentice u dobi od tri i pol godine, a koji boluju od sindroma hipoplastičnoga lijevog srca. Svi su zahvati učinjeni uz povoljan hemodinamski rezultat, bez akutnih uz zahvat vezanih komplikacija. Zaključak: Uvođenjem novih metoda stekli smo nova znanja, poboljšali razinu dostupne skrbi u Republici Hrvatskoj (RH) te u konačnici i utjecali na smanjenje slanja složenih bolesnika u inozemstvo te tako reducirali troškove.
U Kliničkoj bolnici Dubrava u Zagrebu prvi je put u Hrvatskoj ugrađen novi sustav za krvožilni pristup kod bolesnika koji se liječi kroničnom hemodijalizom. Radi se o kombinaciji centralnoga venskog ...katetera i grafta engleskog naziva Hemodialysis Reliable Outflow (HeRO) device, skraćenog naziva HeRO-graft. Glavna je indikacija za primjenu ovoga krvožilnog pristupa okluzija ili značajna stenoza centralnih vena. Iz literature se doznaje da ovaj krvožilni pristup ima značajne prednosti u odnosu na tunelirani centralni venski kateter koji bi trebao biti zadnja opcija kod bolesnika koji zahtijevaju trajno nadomještanje izgubljene bubrežne funkcije. Za razliku od tuneliranih
katetera ovaj je sustav u potpunosti smješten potkožno, što ga čini otpornijim na infekcije. Do sada su u Kliničkoj bolnici Dubrava ugrađena dva HeRO-grafta za hemodijalizu i prema prvim iskustvima potrebna je detaljna obrada kandidata za ovu proceduru. Potrebno je dobro poznavati indikacije i kontraindikacije te je nužna suradnja više timova: nefrološkog, anesteziološkog, radiološkog i kirurškog. Osobito je potrebno obratiti pažnju na stanje arterijske cirkulacije okrajine koja se koristi za ovaj krvožilni pristup kako bi se izbjegle moguće ishemijske komplikacije. Kod obaju naših bolesnika postupak ugradnje protekao je uredno te smo započeli s korištenjem HeRO-grafta za potrebe hemodijalize.
U postupku in vitro fertilizacije i prijenosa zametka kontrolirana stimulacija jajnika gonadotropinima dovodi do suprafiziološkog porasta koncentracije steroidnih hormona u folikularnoj i luteinskoj ...fazi menstruacijskog ciklusa. Takav izmijenjeni hormonski status utječe na funkcionalne te morfološke karakteristike endometrija i kaskadu aktivacije molekularnih medijatora koji definiraju razdoblje receptivnosti endometrija u ciklusu liječenja, poznato kao „implantacijski prozor“. Brojna dosadašnja istraživanja nisu u potpunosti razjasnila ovaj jedinstveni događaj u reprodukciji ljudske vrste. Potrebna su daljnja istraživanja molekularnih medijatora koji sudjeluju u implantaciji kako bi se usavršio postupak IVF/ET i povećala učinkovitost liječenja neplodnosti postupcima medicinski pomognute oplodnje.
Implantacija se danas smatra centralnim događajem u razvoju zametka sisavaca, a zahtijeva usklađen odnos između dvije vrste tkiva koja dolaze u interakciju: trofoblasta i sluznice maternice. Za ...razumijevanje molekularnih mehanizama implantacije od ključnog je značenja poznavanje zbivanja na razini međustaničnog prepoznavanja i međuodnosa stanica i međustaničnog matriksa. Glikoproteini se općenito smatraju potencijalnim medijatorima staničnih interakcija u brojnim biološkim sustavima, uključujući procese prepoznavanja i adhezije. Ovaj rad donosi sustavni ¬pregled glikoproteinskih molekula koje sudjeluju u procesima implantacije i placentacije te njihovu ulogu u navedenim događajima.
Dilatativna kardiomiopatija predstavlja disfunkciju miokarda u kojoj prevladavaju dilatacija ventrikula i sistolička disfunkcija. Početak je često postupan, osim u akutnom miokarditisu. Prognoza je ...općenito loša te čak do 70% bolesnika umire unutar 5 godina od dijagnoze. Zbog loše prognoze ovi pacijenti često su kandidati za transplantaciju srca.
Provider: - Institution: - Data provided by Europeana Collections- Titanium-nitride (TiN) thin film structures research is of great importance because of the unique combination of physical and ...chemical properties of this material. TiN is a material commonly used in various fields of technology due to the properties such as high hardness, high melting point, good corrosion and abrasion resistance, high electrical conductivity, low contact resistance, etc. The process of ion implantation can be used to change the properties of deposited TiN structures. It is a non-equilibrium process by precise control of parameters such as type, concentration and energy of implanted ions. In this way ion implantation can produce changes in crystal structure of materials, produce of amorphization, creation of nano-inclusions, compounds, changes in surface morphology, etc. These changes can alter physical, chemical, mechanical, optical and other properties of materials. In this work titanium nitride thin films with 240.nm thickness were obtained using reactive sputtering. The substrates used were monocrystalline (100) Si wafers. During deposition the substrates were held at room temperature or at 150ºC. Modification of the deposited layers was performed using the ion implantation technique. The samples were irradiated with 120keV and 200keV gaseous argon ions and 80.keV metal vanadium ions. In the case of argon ions the fluences were in the range of 5×1015– 20×1015 ions/cm2, whereas for the vanadium ions the fluences were 1×1017 ions/cm2 and 2×1017 ions/cm2. The main objective of this experimental research is to study the influence and to compare the differences of incident inert and metal ions on the structural, electrical and optical properties of titanium nitride layers. The influence of the substrate temperature on the structure of as deposited thin films was also examined. v Stoichiometry, homogeneity and thickness of TiN thin layers before and after implantation of argon and vanadium ions was analyzed using Rutherford backscattering spectrometry (RBS). This analysis showed that the implantation of argon ions did not caused any changes in stoichiometric ratio of components in TiN layers even after highest ion fluences. In the case of vanadium implantation the layer exhibit nonstoichiometric concentration profiles in the region where the mostly vanadium ions are stopped as well as in the region beneath of the implanted zone. It was also found that the vanadium ions induced the increase of the effective thickness of the films. Structural analysis of thin layers was done by means of X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy in combination with selected area electron diffraction (TEM/SAD) and high resolution TEM combined with fast Fourier transforms (HRTEM/FFT). These methods enabled us to identify phases present in the deposited and implanted structures. We found that the TiN layers grow in the form of a very fine polycrystalline columnar structure. After argon ion irradiation the layers retain their polycrystalline structure, but the columnar grains were disconnected. XRD and FFT analysis have shown only the presence of face-centered cubic TiN phase with a decrease of grains after argon ion implantation. Hence, ion implantation induced only local atomic rearrangements within the films. In the case of vanadium ions TEM analysis showed the presence of amorphous layer above the implanted region. Implanted region with a polycrystalline structure contains a large amount of defects. In the area where the most of the vanadium ions stopped, XRD and FFT analysis showed the presence of face-centered cubic TiN phase as well as the presence of a new VN phase. It can be concluded that the implantation of vanadium ions leads to the formation of new phase due to chemical effects. It was also observed that the depth of damage was significantly greater than those provided with SRIM2003 simulation. Four-point probe method showed that the resistivity increases with increasing ion fluence. Optical measurements obtained by IR analysis have shown that the changes in optical resistivites have the same trend as the changes in specific resistivites. The variations of specific and optical resistivites are due to the accumulation of vi defects after argon ion implantation and the formation of new phase after vanadium implantation.- Istraživanja tankoslojnih struktura titan-nitrida (TiN) su od izuzetnog značaja zbog jedinstvene kombinacije fizičkih i hemijskih svojstava koje ovaj materijal poseduje. Titan-nitrid je materijal koji ima primenu u različitim oblastima tehnologije zahvaljujući svojstvima kao što su visoka tvrdoća, visoka tačka topljenja, dobar otpor na habanje i koroziju, visoka električna provodnost, mali kontaktni otpor, itd. Svojstva deponovanih TiN struktura je moguće kontrolisano menjati primenom jonske implantacije. To je neravnotežni proces u kome je moguća precizna kontrola parametara kao što su vrsta, energija i koncentracija ugrađenih jona. Na taj način jonska implantacija može dovesti do promene kristalne strukture materijala, amorfizacije, stvaranja nano-uključaka, jedinjenja, promene morfologije površine, itd. Nabrojane strukturne promene mogu da menjaju fizička, hemijska, mehanička, optička i druga svojstva materijala. U okviru ovog rada tankoslojne strukture TiN debljine -240nm dobijene su metodom reaktivnog jonskog rasprašivanja. Kao podloge su korišćene monokristalne (100) silicijumske pločice. Slojevi TiN su deponovani na sobnoj temperaturi podloge i na temperaturi podloge od T-150ºC. Modifikacija deponovanih slojeva urađena je tehnikom jonske implantacije. Uzorci su ozračivani gasovitim jonima argona energije 120keV i 200keV i metalnim jonima vanadijuma energije 80keV. Jonske doze su u slučaju jona argona bile u opsegu 5×1015 –20×1015 jona/cm2, dok su za jone vanadijuma doze bile 1×1017 jona/cm2 i 2×1017 jona/cm2. Osnovni cilj ovih eksperimentalnih istraživanja je proučavanje uticaja i poređenje razlike uticaja inertnog i metalnog upadnog jona na strukturna, električna i optička svojstva TiN slojeva. Pored toga, proučavan je i uticaj temperature podloge na strukturu deponovanih tankih slojeva TiN. II Stehiometrija, homogenost i debljina tankih slojeva TiN pre i posle implantacije jonima argona i vanadijuma analizirana je metodom Rutherford-ovog povratnog rasejanja (RBS). Analiza pokazuje da joni argona nisu prouzrokovali promene stehiometrijskog odnosa komponenata u TiN sloju cak ni posle najveće doze argona. U slučaju implantacije jonima vanadijuma sloj pokazuje nestehiometrijske koncentracione profile u oblasti gde se najveći broj jona vanadijuma zaustavio kao i u oblasti ispod implantirane zone. Takođe je zapaženo da joni vanadijuma dovode do porasta efektivne debljine sloja. Strukturna analiza tankih slojeva je urađena difrakcijom X zraka (XRD), transmisionom elektronskom mikroskopijom u kombinaciji sa elektronskom difrakcijom na odabranoj površini (TEM/SAD) i visokorezolucionom elektronskom mikroskopijom uz analizu pomoću Fourier-ove transformacije (HRTEM/FFT). Ove metode su nam omogućile da definišemo prisustvo faza u deponovanim i implantiranim strukturama. Uočili smo da TiN slojevi rastu u vidu vrlo fine polikristalne stubičaste strukture. Nakon implantacije jonima argona slojevi zadržavaju polikristalnu strukturu uz narušavanje stubičaste strukture u oblasti oštećenja uzrokovanog implantacijom. XRD i FFT analiza je pokazala da je prisutna samo površinski centrirana kubna TiN faza uz smanjenje veličine zrna nakon implantacije jonima argona. Dakle, jonsko zračenje dovodi samo do lokalnog atomskog preuredivanja unutar sloja. U slučaju jona vanadijuma TEM analiza pokazuje prisustvo amorfnog sloja iznad implantirane oblasti. Implantirana oblast koja ima polikristalnu strukturu sadrži veliku količinu defekata. XRD i FFT analize su pokazale pored površinski centrirane kubne TiN faze prisustvo nove VN faze u oblasti gde se najveći broj jona vanadijuma zaustavio. Može se zaključiti da implantacija jonima vanadijuma dovodi do formiranja nove faze usled hemijskih efekata. Takođe je primećeno da je dubina oštećenja značajno veća od one predvidene SRIM2003 simulacijom. Metoda „četiri tačke” pokazuje da specifična otpornost raste sa porastom jonske doze. Optička merenja IR metodom su pokazala da optička otpornost prati promenu specifične otpornosti. Efekat promene specifične i optičke otpornosti je objašnjen III akumulacijom defekata implantacijom jona argona i formiranjem nove faze u slučaju jona vanadijuma.- All metadata published by Europeana are available free of restriction under the Creative Commons CC0 1.0 Universal Public Domain Dedication. However, Europeana requests that you actively acknowledge and give attribution to all metadata sources including Europeana
PDF
