Istraživanja su provedena tijekom trogodišnjega razdoblja (2012.-2014.) u poljskim uvjetima s prirodnom zarazom kukuruznoga moljca na Poljoprivrednom institutu u Osijeku. Pokus je postavljen po ...split-split plot metodi s tri ponavljanja. Na pokusnome je polju 15-godišnja plodosmjena kukuruz - soja. Pokus je tročimbenični 3x3x4 s tri razine navodnjavanja (A1 - nenavodnjavano (samo prirodne oborine), A2 od 60 do 100% poljskoga vodnoga kapaciteta (PVK) i A3 od 80 do 100% PVK), tri razine dušične gnojidbe (B1-0, B2-100 i B3-200 kg N/ha) i četiri različita hibrida (C1-0SSK 596; C2-0SSK 617; C-OSSK 602 i C4-0SSK 552). Cilj istraživanja bio je utvrditi utjecaj različitih varijanti navodnjavanja i gnojidbe te različitih hibrida na pojavu i oštećenost biljaka kukuruza od ličinki kukuruznoga moljca te povezanost ishrane gusjenica s koncentracijom dušika, silicija i C/N odnosa. Na kraju svake vegetacijske sezone napravljena je disekcija stabljike, gdje je slučajnim odabirom uzeto 10 biljaka sa svake varijante. Zabilježena je masa klipa za svaku biljku posebno (g), dužina oštećenja (cm), broj gusjenica u stabljici kukuruza, broj gusjenica u dršci klipa, oštećenje drške klipa (cm) te ukupan broj gusjenica po biljci. U fazi svilanja (sredina srpnja) uzeto je 10 listova ispod klipa sa svake varijante. Određena je koncentracija dušika, ugljika i silicija u listu (%) i izračunat C/N odnos. U 2014. godini, s nižim temperaturama i većom količinom oborina, napad kukuruznoga moljca bio je značajno manji u odnosu na druge dvije godine. Utvrđena je dominantnost Z-tipa kukuruznoga moljca na području istočne Slavonije uz pomoć feromonskih mamaca. Povišenom razinom sadržaja vode u tlu utvrdilo se manje oštećenje od kukuruznoga moljca, a povećanjem razine gnojidbe utvrđeno je veće oštećenje na biljkama, kao posljedica ishrane gusjenica. Kod ispitivanih hibrida utvrđena je različita otpornost u odnosu na oštećenje od gusjenica te se hibrid C4 (OSSK 552) izdvojio kao najotporniji, dok je C1 (OSSK 596) bio najosjetljiviji. Koncentracije dušika i silicija bile su u negativnoj korelaciji kao i koncentracija dušika i C/N odnos. Otpornost kod hibrida nije isključivo ovisila o koncentracijama dušika i silicija, iako je pokazala kod većine ispitivanih hibrida da je kod povećane koncentracije dušika oštećenje bilo više, a kod povećane koncentracije silicija utvrđeno je manje oštećenje.
Globalno zatopljenje smanjuje površinsku vodu i isušuje tlo što utječe na proizvodnju pšenice smanjujući urod i kvalitetu zrna. Stoga je za osiguranje svjetske proizvodnje hrane važno povećati ...otpornost pšenice na sušu. U tom kontekstu, ublažavajući učinci silicija (Si) na sušni stres zabilježeni su u pšenici. Zabilježeno je da je Si također uključen u fiziološke procese u pšenici gdje može poboljšati antioksidacijsku obranu. U skladu s tim, gnojidba silicijem mogla bi pružiti relativno jeftinu metodu poboljšanja tolerancije pšenice na sušu, iako je silicij drugi najzastupljeniji element, nije lako dostupan za unos u biljke. Ovaj pregledni rad daje uvid u trenutno dostupne informacije o Si-posredovanim obrambenim odgovorima na sušni stres.
Silicij je, zbog svoje velike zastupljenosti u našoj okolini, kao i zbog široke primjenljivosti kako u elementarnom obliku tako i u spojevima, jedan od najkorisnijih elemenata. Zbog nekih sličnih ...svojstava elemenata silicija i ugljika (tablica 1), kao i analognih spojeva koje tvore, pojavilo se pitanje o mogućnosti postojanja života temeljenog na siliciju. Ipak, razlike u svojstvima koje postoje između tih dvaju elemenata utječu na tvorbu niza strukturno različitih spojeva i različito ponašanje u kemijskim reakcijama. Osnovne razlike mogu se svesti na veću veličinu i polarizabilnost silicijeva atoma, difuznije valentne orbitale, postojanje d orbitala koje također mogu sudjelovati u vezanju te manju elektronegativnost. Zbog tih se razlika pokazalo da silicij teže stvara spojeve s višestrukim vezama i ne može tvoriti tako velik broj raznih vrsta spojeva kao što to može ugljik, ali može tvoriti stabilne hipervalentne spojeve. Utjecaj tih razlika na duljine i jakosti veza, kao i parcijalne naboje na atomima u nekim molekulama prikazane su u tablicama 2, 3 i 4. Uloga p i d orbitala silicija u stvaranju π veza prikazana je na slikama 1 i 2.
Glavna rasprava na području organosilicijeve kemije vodi se oko pitanja postojanja planarnih trikoordiniranih kationa u kondenziranoj fazi (R3Si+, R = alkil, aril), analognih karbokationima (R3C+), koji su poznati i opisani kao slobodne vrste. Iako su sililni kationi termodinamički stabilniji od ugljikovih analoga (tablica 5 i izodezmičke reakcije (1) - (3)), oni su vrlo reaktivni zbog velike elektrofilnosti i mogućnosti hipervalentne koordinacije. S druge strane, stabilizacija pomoću induktivnih i hiperkonjugacijskih učinaka (slika 3) te veći sterički učinci čine karbokatione manje osjetljivima od sililnih kationa na solvataciju i druge vanjske utjecaje.
Također su intenzivno proučavani silil-supstituirani karbokationi. Pokazalo se da su kationske vrste koje imaju silicij u β-položaju (slika 4) stabilizirane β-sililnim učinkom (shema 1), koji je izravno povezan sa stupnjem premoštenja (slika 5). Veličina β-sililnog učinka može se izraziti pomoću veličine nazvane hiperkonjugativnost. Silil-supstituirani karbokationi sa silicijem u α-odnosno dalje od β-položaja nisu dodatno stabilizirani u odnosu na katione s ugljikom na mjestu silicija (shema 2). Štoviše, α-silil-supstituirani karbokationi su destabilizirani.
Priprava slobodnih sililnih kationa u kondenziranoj fazi izrazito je teška jer nastaju kationske vrste s većim ili manjim stupnjem sililkationskog karaktera. U Tablici 6 je navedeno više eksperimentalnih i teorijskih kriterija za utvrđivanje stupnja sililkationskog karaktera koji su primijenjeni u literaturi, kao što su: strukturne veličine, energija kompleksiranja (jednadžbe (4) i (5)), 29Si NMR kemijski pomak (tablica 7, shema 3 i jednadžbe (6) i (7)), parcijalni naboji i popunjenost LUMO sililnog kationa kojom dominira 3pπ(Si) AO (primjeri jednostavnih sililnih kationa dani su u tablici 8 i na slikama 6 i 7). Popunjenost LUMO sililnog kationa procijenjena je jednim od najkvalitetnijih kriterija te je postavljena gornja granica od 30 % popunjenosti da bi se sililni kation mogao nazvati slobodnim. Sililkationski karakter može se procijeniti i vizualno pomoću mapa elektrostatskog potencijala (slika 8).
Kako bi se pripravio sililni kation sa što većim sililkationskim karakterom, potrebno ga je interno stabilizirati pomoću odgovarajućih supstituenata (neki primjeri dani su na slici 9) te upotrijebiti nenukleofilna otapala i slabo koordinirajuće anione (slika 10). Jedan od načina je i intramolekulska "solvatacija" prikazana na slici 11. I uz te poznate činjenice malo je uspješnih pokušaja priprave sililnih kationa. Jedan od neuspjelih je sinteza nekoliko Whelandovih σ-kompleksâ (slika 12), koje su pripravili Lambert i Reed sa svojim istraživačkim skupinama, za koje su prvobitno smatrali da se radi o slobodnim sililnim kationima.
Prvi slobodni sililni kation, trimezitilsililni kation (slika 13) i, analogno njemu, tridurilsililni kation pripravili su Lambert i sur. Također su izolirani slobodni sililni kationi analogni aromatičnim ionima (homociklopropenilni i tropilij). Međutim u tim je sililnim kationima smanjen sililkationski karakter internom π-konjugacijom. Čičak i sur. pripravili su neke sililkationske međuprodukte (Me3Si--CH≡CR)+ u čvrstom stanju (shema 4). Na temelju provedenih kvantno-mehaničkih računa zaključili su da ti adukti imaju znatno veći sililkationski nego karbokationski karakter, od kojih je najveći za R=H (tablica 9, slike 14 i 15).
Provider: - Institution: University of Zagreb. Faculty of Science. Department of Physics. - Data provided by Europeana Collections- Otkrićem osjetljivosti hibridnih silicij/organskih fotodioda u ...bliskom infracrvenom području dodan je još jedan pretendent u utrci za nasljednika tehnologije InGaAs detektora u bliskom infracrvenom području. No, unatoč potencijalnim prednostima hibridne silicijske tehnologije, slabi odziv ovih fotodioda nije dozvolio potencijalne primjene, ali je izazvao akademski interes i potaknuo nastavak istraživanja. Tema ovoga rada je istraživanje mogućnosti poboljšanja odziva takvih fotodioda strukturiranjem silicijske podloge na nano i mikro skali prije nanošenja sloja organskog poluvodiča. Pretpostavka o mogućem poboljšanju svojstava strukturiranjem došla je iz tehnologije fotonaponskih ćelija, u kojima se strukturiranje površine koristi u svrhu zatočenja svjetlosti višestrukim refleksijama i povećanjem efektivne površine koja apsorbira svjetlost. U tu svrhu pripremljene su kemijskim metodama strukturirane površine silicija na nano i mikro skali, te hijerarhijski organizirane strukture. Na takvim podlogama deponirani su tanki slojevi organskog poluvodiča tirskog purpura metodom epitaksijalnog rasta u reaktoru s vrućim stjenkama. Na silicij i organski sloj nanešeni su ohmski aluminijski kontakti, čime je formirana fotodioda. Odziv fotodiode testiran je laserskom svjetlošću u bliskom infracrvenom području. Za sve metode strukturiranja ostvareno je višestruko pojačanje fotostruje u odnosu na hibridne fotodiode pripremljene na ravnim podlogama u jednakim uvjetima kao i strukturirane fotodiode. Najveće pojačanje, od do dva reda veličine, opaženo je na podlogama čija je površina strukturiranima u silicijske mikropiramide anizotropnim jetkanjem (100) orijentirane pločice silicija. Mjerenjem spektralnog odziva izmjeren je odziv od 4-5 mA/W u uvjetima reverzne polarizacije od - 1 V na telekomunikacijskoj valnoj duljini od 1550 nm. Mjerenjima apsorptancije u vidljivom i infracrvenom spektralnom području isključeno je zatočenje svjetlosti kao uzrok pojačanja fotostruje, a mjerenjem efektivne površine isključeno je povećanje efektivne površine. Predložen je model djelovanja hetero-fotodiode koji pretpostavlja zapinjanje Fermijeve i LUMO razine organskog poluvodiča unutar procjepa silicija. Kao razlog pojačanja fotostruje predložen je model pojačanja električnog polja na oštrim vrhovima strukturiranih podloga.- Discovery of the sensitivity of the hybrid silicon/organic photodiodes in the near-infrared spectral range in 2009 by G. Matt in Linz has sparked not only purely academic interest, since the photo-sensitivity came from the sub-bandgap region of the both members that formed the hybrid heterojunction, but also has provoked interest with particular applications in mind. The telecom industry, using the spectral range of 1,3-1,6 μm for the long-range fiber telecommunications, is one of the possible users of su ch photodiodes if they could surpass the incumbent InGaAs photodetector technology ideally in both price and performance. However, the first photodiodes even after the optimization of the organic layer have remained far outside of the responsivity range necessary for the use in telecommunications. The topic of this thesis is the research of the possible improvement in responsivity of such photodiodes by structuring the silicon substrate on nano- and micro-scales prior to deposition of the thin organic layer. The assumption of improvement in photocurrent by the surface structuring came from research in the photovoltaics, where micro-structuring has been for a long time used for anti-reflection purposes, and as of recently nano and hierarchical structuring has successfully been used for light trapping and increase in cell effective surface area. To test the hypothesis differently structured silicon substrates were prepared by simple and affordable chemical etching methods. Surfaces with nano, micro or hierarchical micro-nano surface structuring were prepared, on top of which thin layers of organic semiconductor tyrian purple was deposited by hot-wall epitaxy, a vacuum deposition method known for producing high-quality films or small-molecule organic semiconductors. Ohmic contacts based on thin vacuum-evaporated aluminum films were placed on both silicon and organic semiconductor, forming a back-illuminated photodiode. Photoresponse of the diode was measured by J-V measurments under the excitation of nearinrfared laser light source. For ali differently structured photodiodes large improvements in short-circut photocurrent in comparison to photodiodes prepared in the same conditions on planar substrates were observed. The highest improvement, up to two orders of magnitude, was measured for silicon micropyramid structured substrates, prepared by anisotropic etching of ( IOO) oriented crystalline silicon substrates. Measurements of the spectral responsivity showed that the best performing photodiodes had the responsivity in the range of 4-5 mA/W under the reverse polarization of -I V, at the telecom-relevant wavelenth of 1550 nm. Light trapping as a possible method for improvement of the increase in photocurrent was ruled out by a series of measurements of transmittance and reflectance of the structured heterojunctions in the visible and near-infrared spectral range. By comparison ofthe increase in effective surface area of the junction between planar and best performing micropyramid structured samples, increase in junction area was also ruled out as a possible mechanism of the increase in photocurrent. Previously published models of the band-diagrams and mechanism of NIR sensitivity of the photodiodes of a type-II heterojunction with the Anderson rule-like band alignment bave predicted the dependence of the onset of the photocurrent on the LUMO level of the organic semiconductor. However, the complete lack of such behavior has brought fonvard an improved model containing the assumption of both the Fermi level and the organic HOMO level pinning to the near-midgap levels in silicon, which would explain the lack of variation of the barrier width measured as the energy of the photons causing the onset of the photocurrent. Electric-field assisted enhancement mechanism is proposed as a mechanism for increase of the photocurrent in the structured samples. It is demonstrated by numeric model that the increase in the electric field at the tip of the pyramid can be up to ten-fold in comparison to the electric field of an equipotential plane. Field-enhanced transport mechanisms such as the Fowler-Nordheim tunneling are strongly 11011-Iinearly dependent on the intensity of the electric field. If a mechanism of that type is responsible for the transport at the sharp points of the structured substrates, it would explain large improvements in the photocurrent.- All metadata published by Europeana are available free of restriction under the Creative Commons CC0 1.0 Universal Public Domain Dedication. However, Europeana requests that you actively acknowledge and give attribution to all metadata sources including Europeana
Centrifugalno lijevanje je tehnološki postupak brze proizvodnje metalnih, plastičnih i voštanih dijelova iz postojećeg glavnog modela. Naročito je pogodno za proizvodnju dijelova tlačnim lijevanjem ...jer im je proizvodnja normalno skupa i zahtijeva puno vremena. Rad se bavi utjecajem brzine rotacije kalupa i pritiska stezanja tijekom centrifugalnog lijevanja u silicijskim kalupima na dimenzionalnu točnost odljevaka od legure cinka. Brzina rotacije je bila u rasponu 200 ÷ 600 okr./min. Pritisak stezanja je bio u rasponu od 276 do 379,5 kPa. Rezultati eksperimenta pokazuju ovisnost krivulje brzine rotacije i pritiska stezanja o dimenzionalnoj točnosti odljevaka.
Provider: - Institution: - Data provided by Europeana Collections- Supstrati za površinski pojaĉano Ramanovo raspršenje (SERS) pripremljeni su na tri razliĉita naĉina: (i) sintezom koloidnih ...suspenzija srebra, (ii) depozicijom srebra na prethodno elektrokemijski jetkan silicij i (iii) naparavanjem srebra na monosloj polistirenskih mikrosfera. Koloidne suspenzije sintetizirane su redukcijom srebrove soli (AgNO3) s razliĉitim reducirajućim sredstvima. Prvi tip ĉvrstih podloga dobiven je depozicijom metala na porozni silicij metodom uranjanja u otopinu AgNO3, nanošenjem koloidne suspenzije srebra ili postupkom pulsne laserske ablacije. Drugi tip ĉvrstih SERS supstrata dobiven je depozicijom monodisperznih polistirenskih sfera (350 i 1000 nm) u monosloju na hidrofilnu staklenu podlogu te naparavanjem razliĉitih debljina metalnih filmova pomoću evaporatora. Sve pripremljene podloge testirane su na SERS aktivnost korištenjem testnih molekula (piridin, rodamin 6G, metilensko modrilo). Za koloidnu suspenziju gdje je veliĉina Ag ĉestica iznosila oko 40 nm i uz korištenje natrijevog borhidrida kao agregirajućeg sredstva postignut je faktor pojaĉanja za piridin reda veliĉine 106. Za podloge bazirane na poroznom Si najniţe dobivene granice detekcije su 10-10 mol L-1 za metilensko modrilo (uz pobudu 633 nm) i 10-9 mol L-1 za rodamin 6G (uz pobudu 514,5 nm). Za supstrate bazirane na polistirenskim sferama najbolje postignute granice detekcije su 10-9 mol L-1 za rodamin 6G i 1,2 ×10-3 mol L-1 za piridin. Sintetizirane koloidne SERS podloge primijenjene su za određivanje niskih koncentracija histamina i aflatoksina B1.- The substrates for surface enhanced Raman scattering (SERS) were prepared in three different ways: (i) the synthesis of silver colloidal suspension, (ii) the deposition of silver on the previously electrochemically etched silicon and (iii) vapor deposition of silver on a monolayer of polystyrene microspheres. Colloidal suspensions were synthesized by reduction of silver salts (AgNO3) with various reducing agents. The first type of solid substrates was obtained by the deposition of metal on the porous silicon using immersion plating method, by applying Ag colloidal solution or by pulsed laser ablation. Another type of solid SERS substrates was prepared by deposition of monodisperse polystyrene spheres (350 and 1000 nm) in a monolayer on a hydrophilic glass surface. Different thicknesses of metal films were evaporated on the substrates using e-beam deposition. All prepared substrates were tested for their SERS activity using the test molecules (pyridine, rhodamine 6G, methylene blue). For the colloidal suspension where the size of Ag particles was about 40 nm and with the use of sodium borohydride as aggregating agent the enhancement factor for pyridine of the order of 106 was reached. For the substrates based on porous Si the lowest limits of detection obtained were 10-10 mol L-1 for methylene blue (with 633 nm excitation) and 10-9 mol L-1 for rhodamine 6G (with 514.5 nm excitation). For substrates based on polystyrene spheres best achieved detection limits were 10-9 mol L-1 for rhodamine 6G and 1.2 × 10-3 mol L-1 for pyridine. Synthesized colloidal SERS substrates have been applied for the detection of low concentrations of histamine and aflatoxin B1.- All metadata published by Europeana are available free of restriction under the Creative Commons CC0 1.0 Universal Public Domain Dedication. However, Europeana requests that you actively acknowledge and give attribution to all metadata sources including Europeana
U članku govorimo o učestalosti mikroelemenata, posebice elemenata u tragovima koji iz tla na različite na_ine prelaze u krmno bilje. Cilj ovog pokusa je bio izmjeriti sadržaj aluminija (Al), ...silicija (Si) i titana (Ti) u krmi proizvedenoj na području sjeveroistočne Slovenije. Analizirali smo osam krmiva: kompletnu smjesu za muzne krave K-18, sijeno (talijanski ljulj, bijela i crvena djetelina), kukuruzno krmno brašno, silažu kukuruza, pšenične posije, sojinu sačmu (44% sirovih bjelančevina) i suhe repine rezance. Upotrijebili smo rendgensku fluorescentnu spektrometriju. Prosječne vrijednosti u svim krmivima za Al su bile 3,05×10-3 g/g ST, Si 6,06×10-3 g/g ST i Ti 5,22×10-5 g/g ST. Raspon između najmanje i najveće vrijednosti za pojedine mikroelemente u svim krmivima je bio za Si 2,27×10-2, Al 7,93×10-3 i za Ti 2,07×10-4. Ovo temeljno istraživanje odabranih uzoraka je važno za buduća istraživanja hranidbenih učinaka mikroelemenata (Al, Si, Ti) u životinja.
PDF
