E-viri
Recenzirano
-
Wang, Jingli; Yao, Qian; Huang, Chun-Wei; Zou, Xuming; Liao, Lei; Chen, Shanshan; Fan, Zhiyong; Zhang, Kai; Wu, Wei; Xiao, Xiangheng; Jiang, Changzhong; Wu, Wen-Wei
Advanced materials (Weinheim), October 5, 2016, Letnik: 28, Številka: 37Journal Article
High‐performance MoS2 transistors are developed using atomic hexagonal boron nitride as a tunneling layer to reduce the Schottky barrier and achieve low contact resistance between metal and MoS2. Benefiting from the ultrathin tunneling layer within 0.6 nm, the Schottky barrier is significantly reduced from 158 to 31 meV with small tunneling resistance.
Avtor
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.