Multistate Memory Devices Based on Free-standing VO2/TiO2 Microstructures Driven by Joule Self-Heating

E-viri

Recenzirano

Multistate Memory Devices Based on Free-standing VO2/TiO2 Microstructures Driven by Joule Self-Heating

Pellegrino, Luca; Manca, Nicola; Kanki, Teruo; Tanaka, Hidekazu; Biasotti, Michele; Bellingeri, Emilio; Siri, Antonio Sergio; Marré, Daniele

Advanced materials (Weinheim), June 5, 2012, Letnik: 24, Številka: 21

Journal Article

Two‐terminal multistate memory elements based on VO2/TiO2 thin film microcantilevers are reported. Volatile and non‐volatile multiple resistance states are programmed by current pulses at temperatures within the hysteretic region of the metal‐insulator transition of VO2. The memory mechanism is based on current‐induced creation of metallic clusters by self‐heating of micrometric suspended regions and resistive reading via percolation.

Išči dalje

Avtor

Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.

Leto	Faktor vpliva		Izdaja		Kategorija		Razvrstitev
Leto	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP

Povezave do osebnih bibliografij avtorjev	Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS

Vir: Osebne bibliografije in: SICRIS

Naloži sliko

Vnos na polico

Dodajanje gradiva na polico je uspelo.

Dodajanje gradiva na polico je spodletelo.

Dodajanje gradiva na polico ni bilo potrebno.

Trajna povezava

E-pošta

Faktor vpliva

Izberite knjižnično izkaznico:

Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana

Citiranje

Tema