E-viri
Recenzirano
-
Meyer, D. J.; Deen, D. A.; Storm, D. F.; Ancona, M. G.; Katzer, D. S.; Bass, R.; Roussos, J. A.; Downey, B. P.; Binari, S. C.; Gougousi, T.; Paskova, T.; Preble, E. A.; Evans, K. R.
IEEE electron device letters, 02/2013, Letnik: 34, Številka: 2Journal Article
AlN/GaN heterostructures with 1700-cm 2 /V·s Hall mobility have been grown by molecular beam epitaxy on freestanding GaN substrates. Submicrometer gate-length (L G ) metal-oxide-semiconductor (MOS) high-electron-mobility transistors (HEMTs) fabricated from this material show excellent dc and RF performance. L G = 100 nm devices exhibited a drain current density of 1.5 A/mm, current gain cutoff frequency f T of 165 GHz, a maximum frequency of oscillation f max of 171 GHz, and intrinsic average electron velocity v e of 1.5 ×10 7 cm/s. The 40-GHz load-pull measurements of L G = 140 nm devices showed 1-W/mm output power, with a 4.6-dB gain and 17% power-added efficiency. GaN substrates provide a way of achieving high mobility, high v e , and high RF performance in AlN/GaN transistors.
Avtor
![loading ... loading ...](themes/default/img/ajax-loading.gif)
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.