Veksler, D.; Bersuker, G.; Bushmaker, A. W.; Shrestha, P. R.; Cheung, K. P.; Campbell, J. P.
2019 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS),
2019-March
Conference Proceeding
Switching variability in polycrystalline compliance-free HfO 2 -based 1R RRAM is evaluated employing ultra-fast low voltage pulse approach. Changes in filament conductivity are linked to the variations of energy consumed in a switching process. This study indicates that variability is reduced (suppressed) in more resistive filaments.
Bibliografsko gradivo je bilo uspešno dodano na polico.
Dodajanje bibliografskega gradiva na polico ni uspelo.
Gradivo je že na polici.
Trajna povezava
URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto
Faktor vpliva
Izdaja
Kategorija
Razvrstitev
JCR
SNIP
JCR
SNIP
JCR
SNIP
JCR
SNIP
Izberite knjižnično izkaznico:
Baze podatkov,
v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov
Področje
Leto
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev
Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS
