E-viri
Recenzirano
-
Arteev, D. S.; Sakharov, A. V.; Lundin, W. V.; Zavarin, E. E.; Zakheim, D. A.; Tsatsulnikov, A. F.
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 12/2019, Letnik: 53, Številka: 14Journal Article
The broadening of the spectral linewidth of the GaN/InGaN/GaN quantum wells caused by the random distribution of indium and gallium atoms in the cation sublattice was analyzed theoretically. The calculated values of the full width at half maximum of the emission spectra at low temperature are much smaller than the usually observed experimental values, indicating that the emission linewidth of the InGaN quantum wells is mostly determined by other broadening mechanisms (e.g. indium clustering, quantum well width fluctuations, background impurity broadening, etc.).
![loading ... loading ...](themes/default/img/ajax-loading.gif)
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.