E-viri
Recenzirano
-
Borovkova, A. Yu; Grischina, T. N.; Matyuhina, E. S.
Journal of communications technology & electronics, 03/2018, Letnik: 63, Številka: 3Journal Article
The optimum etchant composition for precise removal of a thin high-doped silicon gettering layer is determined. It is found that the best-controlled etching is provided by the following composition: HNO 3 : HF: CH 3 COOH = 40: 1: 1. This composition etches the entire gettering layer away while preserving the required thickness of the contact layer, which prevents the space-charge region of the p–n junction from emerging at the back surface of the base of a photosensitive element. Thus, this etchant provides an opportunity to reduce the magnitude of dark currents and raise the percentage yield.
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.