12.2: Solution Processable Passivation Layer for Active Matrix Thin Film Transistors on Rigid and Flexible Substrates

E-viri

Recenzirano

12.2: Solution Processable Passivation Layer for Active Matrix Thin Film Transistors on Rigid and Flexible Substrates

Krishnamoorthy, Ahila; Spear, Richard; Gebrebrhan, Amanuel; Stifanos, Mehari; Bien, Hai; Lowe, Marie; Yellowaga, Deborah; Smith, Peter; O'Rourke, Shawn; Loy, Doug; Dailey, Jeff; Marrs, Michael; Ageno, Scott

SID International Symposium Digest of technical papers, 05/2008, Letnik: 39, Številka: 1

Journal Article

Organosiloxane based spin on planarizing dielectrics (PTS‐E and PTS‐R) were developed for application in flat panel displays as a replacement to conformal chemical vapor deposited SiNx. Here we demonstrate the successful use of siloxane‐based material as a passivation layer for active matrix α‐Si thin film transistors (TFT) on both rigid and flexible substrates.

Išči dalje

Avtor

Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.

Leto	Faktor vpliva		Izdaja		Kategorija		Razvrstitev
Leto	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP

Povezave do osebnih bibliografij avtorjev	Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS

Vir: Osebne bibliografije in: SICRIS

Naloži sliko

Vnos na polico

Dodajanje gradiva na polico je uspelo.

Dodajanje gradiva na polico je spodletelo.

Dodajanje gradiva na polico ni bilo potrebno.

Trajna povezava

E-pošta

Faktor vpliva

Izberite knjižnično izkaznico:

Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana

Citiranje

Tema