E-viri
Recenzirano
-
Voitsekhovskii, A. V.; Kulchitsky, N. A.; Nesmelov, S. N.; Dzyadukh, S. M.
Journal of communications technology & electronics, 09/2018, Letnik: 63, Številka: 9Journal Article
Features of the electrical properties of n ( p )-Hg 1– x Cd x Te ( x = 0.21–0.23) with Al 2 O 3 or SiO 2 /Si 3 N 4 dielectrics are considered. The HgCdTe films were grown by means of molecular beam epitaxy on GaAs(013) and Si(013) substrates. The possibility of determining the basic parameters of MIS structures based on n ( p )-Hg 1– x Cd x Te ( x = 0.21–0.23) with and without a varizonal layer from admittance measurements in a wide range of temperatures and frequencies is discussed.
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.