Multilayer films consisting of alternating sublayers of hydrogenated amorphous silicon oxide and germanium oxide were prepared by dual magnetron sputtering of silicon and germanium targets in an argon/water vapor atmosphere. The number and thickness of the a‐GeOx: H sublayers ranged from one to eight and from 80 to 7 nm, respectively. The structure of the multilayers and their components were investigated by means of optical transmission and reflection, infrared spectroscopy, wide‐angle X‐ray scattering, and X‐ray reflectometry. Upon annealing, first an ordering of the amorphous germanium oxide network connected with an outdiffusion of oxygen and an increase of the surface roughness are observed. Depending on sublayer thickness, the onset of the formation of Ge nanocrystals is observed around 700 K. Crystallization of the germanium oxide sublayers is nearly completed at 870 K, and the crystallite diameter ranges from 4 to 13 nm depending on sublayer thickness. With crystallization the surface roughness decreased and the structure of the silicon oxide was improved. Vielschichtsysteme bestehend aus alternierenden Lagen von hydrogeniertem amorphem Siliziumund Germaniumoxid werden mittels Dual‐Magnetronsputtern von Silizium‐ und Germaniumtargets in Argon/Wasserdampf‐Atmosphäre präpariert. Die Anzahl und die Dicke der Germaniumoxidlagen variiert von eins bis acht bzw. von 80 bis 7 nm. Die Struktur der Vielschichtsysteme und der Lagen wird mittels optischer Transmission und Reflexion, Infrarotspektroskopie, Röntgenweitwinkelstreuung und Röntgenreflektometrie untersucht. Mit einer Temperung wird zunächst eine Verbesserung der strukturellen Ordnung des Germaniumoxids beobachtet die mit einer Ausdiffusion von Sauerstoff und einer gestiegenen Grenzflächenrauhigkeit verbunden ist. In Abhangigkeit von der Lagendicke setzt bei etwa 700 K die Bildung von Ge‐Nanokristalliten ein. Nach der Temperung bei 870 K ist die Kristallisation der Germaniumoxidlagen abgeschlossen. Die Größe der Germaniumkristallite beträgt in Abhängigkeit von der Lagendicke 4 bis 13 nm. Mit der Kristallisation reduziert sich die Rauhigkeit der Grenzflächen und gleichzeitig wird die strukturele Ordnung des Siliziumoxids verbessert.