E-viri
Recenzirano
-
Nakajima, M.; Kaneko, M.; Kimoto, T.
IEEE electron device letters, 06/2019, Letnik: 40, Številka: 6Journal Article
We demonstrate normally-off 400 °C operation of n-channel and p-channel junction field-effect transistors (JFETs) fabricated by an ion implantation into a common high-purity semi-insulating silicon carbide (SiC) substrate. The side-gate structure proposed in this letter has good controllability of threshold voltage. The present results assure the potential of JFET-based complementary logic integrated circuits (ICs) operational at high temperature.
![loading ... loading ...](themes/default/img/ajax-loading.gif)
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.