Comparison of RTP N2O-and NH3-Nitrided Thin SiO2 Films :: COBISS+

Ta stran uporablja JavaScript. Vaš brskalnik ne podpira JavaScripta ali pa je ta izklopljen. Če želite stran pravilno prikazati, uporabite brskalnik, ki podpira JavaScript.

E-viri

13.

Celotno besedilo

Comparison of RTP N2O-and NH3-Nitrided Thin SiO2 Films

Bouvet, D.; Novkovski, N.; Mi, J.; Letourneau, P.; Dutoit, M.; Pio, F.; Riva, C.; Bellafiore, N.

ESSDERC '93: 23rd European solid State Device Research Conference, 1993-Sept.

Conference Proceeding

Thin SiO 2 films nitrided by rapid thermal processing in N 2 O and NH 3 are compared. The effect of nitrogen on growth kinetics, composition and electrical characteristics is determined.

Išči dalje

Avtor

Bouvet, D. | Novkovski, N. | Mi, J. | Letourneau, P. | Dutoit, M. | Pio, F. | Riva, C. | Bellafiore, N.

Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.

Leto	Faktor vpliva		Izdaja		Kategorija		Razvrstitev
Leto	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP

Povezave do osebnih bibliografij avtorjev	Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS

Vir: Osebne bibliografije in: SICRIS