E-viri
Recenzirano
-
Chien, Y C; Chiang, I H; Wang, J S
Electronics letters, 09/2014, Letnik: 50, Številka: 20Journal Article
The bit cell is a key component that determines the VDDmin and power consumption of a sub-threshold static random access memory. In this paper, a new bit cell with a pnn-type latch structure is proposed. The analysis and measurement results indicate that the pnn bit cell outperforms the conventional bit cells in terms of VDDmin and power reduction.
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.