Sub-threshold SRAM bit cell pnn for VDD sub( min) and power reduction

E-viri

Recenzirano

Sub-threshold SRAM bit cell pnn for VDD sub( min) and power reduction

Chien, Y C; Chiang, I H; Wang, J S

Electronics letters, 09/2014, Letnik: 50, Številka: 20

Journal Article

The bit cell is a key component that determines the VDDmin and power consumption of a sub-threshold static random access memory. In this paper, a new bit cell with a pnn-type latch structure is proposed. The analysis and measurement results indicate that the pnn bit cell outperforms the conventional bit cells in terms of VDDmin and power reduction.

Išči dalje

Avtor

Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.

Leto	Faktor vpliva		Izdaja		Kategorija		Razvrstitev
Leto	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP

Povezave do osebnih bibliografij avtorjev	Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS

Vir: Osebne bibliografije in: SICRIS

Naloži sliko

Vnos na polico

Dodajanje gradiva na polico je uspelo.

Dodajanje gradiva na polico je spodletelo.

Dodajanje gradiva na polico ni bilo potrebno.

Trajna povezava

E-pošta

Faktor vpliva

Izberite knjižnično izkaznico:

Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana

Citiranje

Tema