Electroabsorption modeling in hydrogenated amorphous silicon

Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana (FERLJ)

Electroabsorption modeling in hydrogenated amorphous silicon

Pirc, Matija, 1980- ; Topič, Marko

Vir: IEEE transactions on electron devices. - ISSN 0018-9383 (Vol. 60, no. 12, Dec. 2013, str. 3973-3978)

Vrsta gradiva - članek, sestavni del

Leto - 2013

Jezik - angleški

COBISS.SI-ID - 10286164

Povezava(-e):
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6631493

Išči dalje

Avtor
Pirc, Matija, 1980- | Topič, Marko

Zaloga

vir: IEEE transactions on electron devices. - ISSN 0018-9383 (Vol. 60, no. 12, Dec. 2013, str. 3973-3978)

Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.

Leto	Faktor vpliva		Izdaja		Kategorija		Razvrstitev
Leto	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP

Povezave do osebnih bibliografij avtorjev	Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS
Pirc, Matija, 1980-	33111
Topič, Marko	12609

Vir: Osebne bibliografije in: SICRIS

Gradivo iz matične enote je brezplačno. Če je gradivo na mesto prevzema dostavljeno iz drugih enot, lahko knjižnica to storitev zaračuna.

Mesto prevzema	Status gradiva	Rezervacija

Naloži sliko

Vnos na polico

Dodajanje gradiva na polico je uspelo.

Dodajanje gradiva na polico je spodletelo.

Dodajanje gradiva na polico ni bilo potrebno.

Trajna povezava

E-pošta

Faktor vpliva

Izberite knjižnično izkaznico:

Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana

Izberite prevzemno mesto:

Prevzem gradiva po pošti

Obvestilo

Citiranje

Gesla v Splošnem geslovniku COBISS

Izbira mesta prevzema

Rezervacija je uspela.

Rezervacija ni uspela.

Rezervacija...

Bibliografski podatki

Število izposoj

Izposoja uspešna

Izposoja ni uspela

Izposoja uspešna

Izposoja ni uspela

Izposoja uspešna

Izposoja ni uspela

Izposoja uspešna

Izposoja ni uspela

Tema