MacLeod, S J; See, A M; Keane, Z K; Scriven, P; Micolich, A P; Aagesen, M; Lindelof, P E; Hamilton, A R
arXiv.org,
01/2014
Paper, Journal Article
Radio frequency reflectometry is demonstrated in a sub-micron undoped AlGaAs/GaAs device. Undoped single electron transistors (SETs) are attractive candidates to study single electron phenomena due to their charge stability and robust electronic properties after thermal cycling. However these devices require a large top-gate which is unsuitable for the fast and sensitive radio frequency reflectometry technique. Here we demonstrate rf reflectometry is possible in an undoped SET.
Bibliografsko gradivo je bilo uspešno dodano na polico.
Dodajanje bibliografskega gradiva na polico ni uspelo.
Gradivo je že na polici.
Trajna povezava
URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto
Faktor vpliva
Izdaja
Kategorija
Razvrstitev
JCR
SNIP
JCR
SNIP
JCR
SNIP
JCR
SNIP
Izberite knjižnično izkaznico:
Baze podatkov,
v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov
Področje
Leto
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev
Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS
