2019 8th International Symposium on Next Generation Electronics (ISNE),
2019-Oct.
Conference Proceeding
A method for improving the performance of deep ultraviolet laser devices by improving the electron blocking layer is proposed. It is applied to deep ultraviolet semiconductor laser diodes through the left tapered electron blocking layer (EBL). Comparison with the right tapered electron blocking layer or the non-tapered electron blocking layer, the laser of left tapered electron blocking layer device exhibits higher efficiency at the time of device, indicating a significant increase in electron transfer and holes, which improves the luminous efficiency of the device.
Bibliografsko gradivo je bilo uspešno dodano na polico.
Dodajanje bibliografskega gradiva na polico ni uspelo.
Gradivo je že na polici.
Trajna povezava
URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto
Faktor vpliva
Izdaja
Kategorija
Razvrstitev
JCR
SNIP
JCR
SNIP
JCR
SNIP
JCR
SNIP
Izberite knjižnično izkaznico:
Baze podatkov,
v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov
Področje
Leto
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev
Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS
