E-viri
Recenzirano
-
OURMAZD, A; BEAN, J. C
Physical review letters, 1985-Aug-12, Letnik: 55, Številka: 7Journal Article
The observation of an order-disorder transition in the semiconductor strained-superlattice system GeSi/Si, which doubles the lattice periodicity in a 111 line type direction, is reported. This phenomenon may be representative of a class of order-disorder transitions in strained-semiconductor systems, even when the lattice mismatch is small.
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.