E-viri
Recenzirano
Odprti dostop
-
Brox, O.; Wenzel, H.; Fricke, J.; Della Casa, P.; Maaßdorf, A.; Matalla, M.; Wenzel, S.; Wicht, A.; Knigge, A.
Electronics letters, July 2021, Letnik: 57, Številka: 14Journal Article
The fabrication and characterisation details of novel distributed Bragg reflector (DBR) diode lasers emitting around 1064 nm are presented here. The AlGaAs epitaxial layer stack used here allows the removal of the active quantum wells in passive sections where no current is injected. The DBR lasers fabricated with a two‐step epitaxial approach without an active layer in the grating sections show improved performance in terms of power, efficiency, and linewidth in comparison to its all‐active DBR counterparts.
Avtor
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.