Low-Energy Ion Scattering from the Si(001) Surface

E-viri

Recenzirano

Low-Energy Ion Scattering from the Si(001) Surface

Aono, M.; Hou, Y.; Oshima, C.; Ishizawa, Y.

Physical review letters, 01/1982, Letnik: 49, Številka: 8

Journal Article

The structure of a clean Si(001) surface has been studied by a specialized technique in low-energy ion scattering spectroscopy. It has been found that (1) the surface is dimerized, and (2) the intradimer atomic distance parallel to the surface is 2.4 plus or minus 0.1 angstrom.

Išči dalje

Avtor

Aono, M. | Hou, Y. | Oshima, C. | Ishizawa, Y.

Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.

Leto	Faktor vpliva		Izdaja		Kategorija		Razvrstitev
Leto	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP

Povezave do osebnih bibliografij avtorjev	Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS

Vir: Osebne bibliografije in: SICRIS

Naloži sliko

Vnos na polico

Dodajanje gradiva na polico je uspelo.

Dodajanje gradiva na polico je spodletelo.

Dodajanje gradiva na polico ni bilo potrebno.

Trajna povezava

E-pošta

Faktor vpliva

Izberite knjižnično izkaznico:

Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana

Citiranje

Tema