E-viri
Recenzirano
-
Gutierrez, S.; Sancho, I.; Fontan, L.; De No, J.
IEEE transactions on dielectrics and electrical insulation, 10/2012, Letnik: 19, Številka: 5Journal Article
This paper presents an analysis to determine the effect of the stress enhancement factor due to the presence of protrusions in the semiconductor shields of HVDC cables. The theoretical analysis of the electric field containing protrusions is based on a harmonic solution for the electric field for spherical and spheroidal protrusions. HVDC analysis takes into account the additional space charge accumulation due to the presence of protrusions.
![loading ... loading ...](themes/default/img/ajax-loading.gif)
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.