E-viri
Recenzirano
Odprti dostop
-
Haider, M Baseer; Pitters, Jason L; DiLabio, Gino A; Livadaru, Lucian; Mutus, Josh Y; Wolkow, Robert A
Physical review letters, 01/2009, Letnik: 102, Številka: 4Journal Article
It is demonstrated that the silicon atom dangling bond (DB) state serves as a quantum dot. Coulomb repulsion causes DBs separated by less, similar2 nm to exhibit reduced localized charge, which enables electron tunnel coupling of DBs. Scanning tunneling microscopy measurements and theoretical modeling reveal that fabrication geometry of multi-DB assemblies determines net occupation and tunnel coupling strength among dots. Electron occupation of DB assemblies can be controlled at room temperature. Electrostatic control over charge distribution within assemblies is demonstrated.
![loading ... loading ...](themes/default/img/ajax-loading.gif)
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.