E-viri
Recenzirano
-
Qin, Qi Hang; Äkäslompolo, Laura; Tuomisto, Noora; Yao, Lide; Majumdar, Sayani; Vijayakumar, Jaianth; Casiraghi, Arianna; Inkinen, Sampo; Chen, Binbin; Zugarramurdi, Asier; Puska, Martti; van Dijken, Sebastiaan
Advanced materials (Weinheim), 08/2016, Letnik: 28, Številka: 32Journal Article
Universal, giant and nonvolatile resistive switching is demonstrated for oxide tunnel junctions with ferroelectric PbZr0.2Ti0.8O3, ferroelectric BaTiO3, and paraelectric SrTiO3 tunnel barriers. The effects are caused by reversible migration of oxygen vacancies between the tunnel barrier and bottom La2/3Sr1/3MnO3 electrode. The switching process, which is driven by large electric fields, is efficient down to a temperature of 5 K.
![loading ... loading ...](themes/default/img/ajax-loading.gif)
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.