The paper considers the energy position of negative ions of impurity atoms in the band gap of a semiconductor. Owing to the Boltzmann law, the energy levels of negative ions in the vicinity of the conduction band supply electrons to the conduction band, while resonance exchange of electrons occurs from the energy levels of negative ions in the vicinity of the allowed terms of the atoms of the main crystal. It is shown how energy band diagrams of n-conductivity and р-conductivity are formed. The applied external electric field acts oppositely on the impurities located in the vicinity of the conduction band and on those located in the vicinity of the allowed energy levels of the atoms of the main crystal. Impurity conductivity is determined by dielectric permittivity formed by the induced electric dipole moments of negative ions. / В запрещенной зоне полупроводника рассматривается энергетическое положение отрицательных ионов примесных атомов. Уровни энергий отрицательных ионов вблизи зоны проводимости вследствие закона Больцмана поставляют электроны в зону проводимости, а с уровней энергий отрицательных ионов вблизи разрешенных термов атомов основного кристалла происходит резонансный обмен электронами. В работе представлено, как формируются энергетические схемы n-проводимости и р-проводимости. Приложенное внешнее электрическое поле действует взаимопротивоположно на примеси вблизи зоны проводимости и вблизи разрешенных уровней энергий атомов основного кристалла. Примесная электропроводность определяется диэлектрической проницаемостью, которая формируется наведенными дипольными электрическими моментами отрицательных ионов. / Rad se bavi energetskom pozicijom negativnih jona atoma primesa u energetskim procepima poluprovodnika. Zahvaljujući Bolcmanovom zakonu, energetski nivoi negativnih jona u blizini provodne zone snabdevaju provodnu zonu elektronima, dok do rezonantne razmene elektrona dolazi iz pravca energetskih nivoa negativnih jona u blizini dozvoljenih termina atoma glavnog kristala. Pokazano je kako dolazi do stvaranja dijagrama energetskih zona provodljivosti N-tipa i P-tipa. Primenjeno spoljašnje električno polje deluje suprotno na primese koje se nalaze u blizini dozvoljenih energetskih nivoa atoma glavnog kristala. Provodljivost primesa određuje se pomoću dielektrične permitivnosti koja se formira usled indukovanog električnog dipolnog momenta negativnih jona.