-
Investigation of efficient termination structure for improved breakdown properties of semiconductor radiation detectorsKrižaj, Dejan, 1962- ...Vir: IEEE transactions on nuclear science. - ISSN 0018-9499 (Vol. 45, no. 3, 1998, str. 379-384)Vrsta gradiva - e-članekLeto - 1998Jezik - angleškiCOBISS.SI-ID - 1081172
Avtor
Križaj, Dejan, 1962- |
Resnik, Drago |
Vrtačnik, Danilo |
Amon, Slavko |
Cindro, Vladimir
Teme
polprevodniki |
detektorji radiacije |
napetost preboja |
silicijevi detektorji sevanja |
zaključitvene strukture spoja |
PIN diode |
semiconductors |
radiation detectors |
breakdown voltage |
silicon radiation detectors |
junction termination structure |
PIN diodes
![loading ... loading ...](themes/default/img/ajax-loading.gif)
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|---|
Križaj, Dejan, 1962- | 10269 |
Resnik, Drago | 05075 |
Vrtačnik, Danilo | 04383 |
Amon, Slavko | 01926 |
Izberite prevzemno mesto:
Prevzem gradiva po pošti
Obvestilo
Gesla v Splošnem geslovniku COBISS
Izbira mesta prevzema
Mesto prevzema | Status gradiva | Rezervacija |
---|
Prosimo, počakajte trenutek.