Knjižnica tehniških fakultet, Maribor (KTFMB)
  • Schottkyjeva bariera : moderni pogledi na star problem. II. del, Transport naboja skozi stik kovina-polprevodnik
    Korošak, Dean ; Cvikl, Bruno
    V drugem delu prispevka opisujemo transportne lastnosti stika kovine in polprevodnika. V začetku je podan pregledni opis različnih mehanizmov prenosa naboja v idealni Schottkyjevi diodi. V ... nadaljevanju je opisan transport naboja v neidealnem stiku z vmesno kontrolno plastjo, ki nastane pri nanašanju z metodo CIS. Dodatni transport naboja v takšnih Schottkyjevih heterostrukturah lahko povzroči kontinuum elektronskih stanj, ki se pojavi na meji med urejenim in neurejenim delom polprevodnika. Opisan je vpliv takšnega transporta naboja na tokovno karakteristiko diode.
    Vir: Vakuumist : glasilo Društva za vakuumsko tehniko Slovenije. - ISSN 0351-9716 (18, št. 3, 1998, str. 13-16)
    Vrsta gradiva - članek, sestavni del
    Leto - 1998
    Jezik - slovenski
    COBISS.SI-ID - 4173078

    Povezava(-e):

    Digitalna knjižnica Univerze v Mariboru – DKUM
    Digitalna knjižnica Slovenije - dLib.si

Vnos na polico