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  • COT—H在金属Ru表面上沉积的光电子能谱分析 COT—H在金属Ru表面上沉积的光电子能谱分析
    施申蕾 楼辉 等 Wuli huaxue xuebao, 2002, Volume: 18, Issue: 1
    Journal Article

    采用紫外光电子能谱(UPS),分析了不对称四苯基四苯乙炔基环辛四烯(COT-H)有机发光材料与金属之间的界面电子结构,研究了在金属/COT-H界面上的逸出功变化。UPS谱中位于费米能级以下5.6、7.9和10.2eV处的三个谱峰分别来自于COT-H材料中苯环的πcc、σcc和σCH轨道。位于3.8eV处的谱峰反映了八个苯环聚合后具有π轨道特性的C-C键。从UPS谱图中可以看到,COT-H材料的最高占有态(HOS:highest occupied state)位于费米能级以下1.8eV处。CTO-H材料的逸出功只有3.2eV,比清洁Ru表面的逸出功小1.0eV。角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)的结果表明,组成COT-H分子应该近似平行于衬底表面。
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