-
Ultra-low leakage and high breakdown Schottky diodes fabricated on free-standing GaN substrateWang, Yaqi ...Vir: Semiconductor science and technology. - ISSN 0268-1242 (Vol. 26, no. 2, 2011, str. 022002-1-022002-4)Vrsta gradiva - članek, sestavni delLeto - 2011Jezik - angleškiCOBISS.SI-ID - 4635131
Avtor
Wang, Yaqi |
Alur, Siddharth |
Sharma, Yogesh |
Tong, Fei |
Thapa, Resham |
Gartland, Patrick |
Issacs-Smith, Tamara |
Ahyi, Ayayi Claude |
Williams, John, fizik |
Park, Minseo |
Johnson, Mark, fizik |
Paskova, Tanya |
Preble, Edward A. |
Evans, Keith R.
Teme
free-standing GaN substrate |
ultra-low leakage |
high breakdown Schottky diodes
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|---|
Wang, Yaqi | |
Alur, Siddharth | |
Sharma, Yogesh | |
Tong, Fei | 37421 |
Thapa, Resham | |
Gartland, Patrick | |
Issacs-Smith, Tamara | |
Ahyi, Ayayi Claude | |
Williams, John, fizik | |
Park, Minseo | |
Johnson, Mark, fizik | |
Paskova, Tanya | |
Preble, Edward A. | |
Evans, Keith R. |
Izberite prevzemno mesto:
Prevzem gradiva po pošti
Obvestilo
Gesla v Splošnem geslovniku COBISS
Izbira mesta prevzema
Mesto prevzema | Status gradiva | Rezervacija |
---|
Prosimo, počakajte trenutek.