To the Problem of Optimization of Parameters of a Double Heterostructure Based on Direct-Gap Semiconductors for Avalanche Photodiodes

E-viri

Recenzirano

To the Problem of Optimization of Parameters of a Double Heterostructure Based on Direct-Gap Semiconductors for Avalanche Photodiodes

Kholodnov, V. A.; Burlakov, I. D.

Journal of communications technology & electronics, 09/2018, Letnik: 63, Številka: 9

Journal Article

A double heterostructure based on direct-gap semiconductors with a photoabsorption middle layer at the avalanche breakdown voltage is considered. Such structures are used in the development of avalanche photodiodes with separate absorption and multiplication regions (APD with SAMR). It is shown that impact generation of electron–hole pairs should be considered in calculating the maximum possible characteristics of APDs with SAMR even in the absorption layer; therewith, this can be performed analytically.

Išči dalje

Avtor

Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.

Leto	Faktor vpliva		Izdaja		Kategorija		Razvrstitev
Leto	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP

Povezave do osebnih bibliografij avtorjev	Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS

Vir: Osebne bibliografije in: SICRIS

Naloži sliko

Vnos na polico

Dodajanje gradiva na polico je uspelo.

Dodajanje gradiva na polico je spodletelo.

Dodajanje gradiva na polico ni bilo potrebno.

Trajna povezava

E-pošta

Faktor vpliva

Izberite knjižnično izkaznico:

Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana

Citiranje

Tema