UNI-MB - logo
UMNIK - logo
 
(UM)
  • Študij procesov na fazni meji kovina/polprevodnik in raziskave vpliva na električne karakteristike Schottkyjevih struktur v sistemu AgAu/Si(111) : doktorska disertacija
    Kovač, Janez, 1965-
    Delo, opisano v tej disertaciji, je nastalo z namenom, da bi prispeval k razumevanju mikroskopskih vplivov morfologije na nastanek fazne meje kovina/polprevodnik in na elektronske lastnosti na meji. ... V ta namen sem na modelu fazne meje preiskal interakcije med naparjenimi kovinskimi plastmi Au in Ag ter različnimi morfološkimi fazamina faznih mejah Ag/Si(111) in Au/Si(111), ki nastanejo pri povišanih temperaturah. Iz fotoelektronksih spektrov Si 2p, Ag 3d in Au 4f, dobljenih z novim fotoelektronskim mikroskopomna sinhrotonu Elettra, sem sklepal na sestavo, kemijsko stanje in masni transport ter is premika spektra Si 2p in valenčnega pasu na elektronske lastnosti različnih fz. Njihovo strukturo sem določil z uklonom nizkoenergijskih elektronov. Ugotovil sem, da na faznih mejah Ag/Si(111) in Au/Si(111) pri temperaturi nad 400 in 600°C nastanejo 2D-faza s strukturo ([kvadratni koren]3x[kvadratni koren]3)R30° in 3-D faze, ki vsebujejo kovino in so prekrite z zreagirano plastjo kovina-Si. Pri interakciji naparjenih plasti Au in Ag z razlaičnimi morfološkimi fazami na faznih mejah Ag/Si(111) in Au/Si(111) sem ugotovil, da so pomembni procesi: vgradnja atomov Au v urejeno 2D-fazo Ag/Si, zamenjava atomov Ag vezanih z Si v zreagirani plasti Ag-Si z atomi Au, masni transport med 2D- in 3D-fazami in mešanje atomov ali tvorba kovinske zlitine v 3D-fazah. Potek teh procesov je odvisen od strukture in sestave posamezne faze, jakosti kemijske vezi med Au, Ag in Si, prisotnosti nezreagirane kovine in prostorske omejenosti kovinskih plasti. Elektronske lastnosti valenčćnega pasu 2D-faze Ag/Si imajo polprevodniški značaj, medtem ko imajo 2D faza Au/Si in 3D faze kovinskega. Na fazni meji AgAu/Si(111) se elektronske lastnosti spreminjajo skladno s sestavo in strukturo posameznih faz. Na 2D-fazah Au/Si in Ag/Si s strukturo ([kvadratni koren]3x]kvadraatni koren 3]R30° sem določil višino Schottkyjeve pregrade. Med eksperimentalnim delom sem sodeloval tudi pri postavitvi vrstičnega fotoelektronskega mikroskopa na sinhotronskem pospeševalniku Elettra, ki ga tudi opišem v tej disertaciji. Mikroskop fokusira s krožnim Fresnelovim uklonskim elementom svetlobo z energijo 200-1000 eV. Njegova lateralna in energijska ločljivost sta 150 nm in 0,3 eV in deluje pri tlaku okoli 5x10[na]-10 mbar. Obravnaval sem stranske pojave, ki sem jih srečal pri svoje mdelu in so povezani z veliko gostoto svetlobnega toka v gorišču mikroskopa kot so: lokalno segrevanje in električno nabijanje površine, fotoinducirana redukcija oksidov in kontaminacija površine z ogljikom. Predstavljen je postopek korekcije dobljenih slik v mikroskopu zaradi vpliva topografije na neravni površini. V delu je podano tudi fizikalno ozadje sinhotronskega sevanja, ki kaže na njegove lastnossti, ki smo jih uporabili pri postavitvi fotoelektronskega mikroskopa.
    Vrsta gradiva - disertacija
    Založništvo in izdelava - Maribor : [J. Kovač], 2000
    Jezik - slovenski
    COBISS.SI-ID - 5917206

Knjižnica Signatura – lokacija, inventarna št. ... Status izvoda
Knjižnica tehniških fakultet, Maribor pisarna A-003 (FERI) DD KOVAČ J. ŠTUDIJ prosto - za čitalnico
loading ...
loading ...
loading ...

Vnos na polico