E-viri
-
Chien, W.C.; Ho, H.Y.; Yeh, C.W.; Yang, C.H.; Cheng, H.Y.; Kim, W.; Kuo, I.T.; Gignac, L.M.; Lai, E.K.; Gong, N.; Chou, Y.C.; Cheng, C.W.; Lin, Y.F.; Papalia, J.M.; Carta, F.; Rav, A.; Bruce, R.L.; Briahtxky, M.; Lung, H.L.
2019 Symposium on VLSI Technology, 06/2019Conference Proceeding
We present a scaling study toward lZnm node 3D Cross-point PCM (XPCM) for Storage Class Memory (SCM) applications. The low operation current, and low metal line loading resistance are desired to avoid a wide operation voltage distribution in a cross-point array. For the first time, AC threshold voltage (Vth) of 1S1R OTS-PCM was studied, which will impact the operation scheme. To achieve Tera bits per chip density, six layers 1Znm 3D XPCM with OTS showing high Vth and low leakage current, and scalable periphery circuit are required.
Avtor
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
| Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
| Ime baze podatkov | Področje | Leto |
|---|
| Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
|---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.