Analysis of the nBn-type barrier structures for infrared photodiode detectors

E-viri

Recenzirano

Analysis of the nBn-type barrier structures for infrared photodiode detectors

Voitsekhovskii, A. V.; Gorn, D. I.

Journal of communications technology & electronics, 03/2017, Letnik: 62, Številka: 3

Journal Article

Modern trends in the technology of Cd x Hg 1– x Te-based photosensitive barrier structures for the middle and far infrared bands, which can operate at near-room temperatures, are analyzed. Main approaches to solving the problem of increasing the photodiode-detector operating temperature have been considered and analyzed.

Išči dalje

Avtor

Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.

Leto	Faktor vpliva		Izdaja		Kategorija		Razvrstitev
Leto	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP

Povezave do osebnih bibliografij avtorjev	Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS

Vir: Osebne bibliografije in: SICRIS

Naloži sliko

Vnos na polico

Dodajanje gradiva na polico je uspelo.

Dodajanje gradiva na polico je spodletelo.

Dodajanje gradiva na polico ni bilo potrebno.

Trajna povezava

E-pošta

Faktor vpliva

Izberite knjižnično izkaznico:

Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana

Citiranje

Tema