Radiation tolerance studies of silicon microstrip sensors for the CBM Silicon Tracking System

E-viri

PDF

Celotno besedilo

Recenzirano Odprti dostop

Radiation tolerance studies of silicon microstrip sensors for the CBM Silicon Tracking System

Momot, I.; Singla, M.; Teklishyn, M.; Pugatch, V.; Heuser, J.

Journal of physics. Conference series, 01/2016, Letnik: 668, Številka: 1

Journal Article

Double-sided silicon microstrip sensors will be used in the Silicon Tracking System of the CBM experiment. During experimental run they will be exposed to a radiation field of up to 1x1014 1 MeV neq cm-2. Radiation tolerance studies were made on prototypes from two different vendors. Results from these prototype detectors before and after irradiation to twice that neutron fluence are discussed.

Išči dalje

Avtor

Momot, I. | Singla, M. | Teklishyn, M. | Pugatch, V. | Heuser, J.

Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.

Leto	Faktor vpliva		Izdaja		Kategorija		Razvrstitev
Leto	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP

Povezave do osebnih bibliografij avtorjev	Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS

Vir: Osebne bibliografije in: SICRIS

Naloži sliko

Vnos na polico

Dodajanje gradiva na polico je uspelo.

Dodajanje gradiva na polico je spodletelo.

Dodajanje gradiva na polico ni bilo potrebno.

Trajna povezava

E-pošta

Faktor vpliva

Izberite knjižnično izkaznico:

Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana

Citiranje

Tema