E-viri
Recenzirano
Odprti dostop
-
Nastasi, Giovanni; Romano, Vittorio
Journal of mathematics in industry, 01/2022, Letnik: 12, Številka: 1Journal Article
A field effect transistor having the active area made of monolayer graphene is simulated by a drift-diffusion model coupled with the Poisson equation. The adopted geometry, already proposed in (Nastasi and Romano in IEEE Trans. Electron. Devices 68:4729–4734, 2021 , https://doi.org/10.1109/TED.2021.3096492 ), gives a good current-ON/current-OFF ratio as it is evident in the simulations. In this paper, we compare the numerical simulations of the standard (non-degenerate) drift-diffusion model, that includes the Einstein diffusion coefficient, with the degenerate case.
![loading ... loading ...](themes/default/img/ajax-loading.gif)
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.