E-viri
Recenzirano
-
Mikhnenko, Oleksandr V.; Kuik, Martijn; Lin, Jason; van der Kaap, Niels; Nguyen, Thuc-Quyen; Blom, Paul W. M.
Advanced materials (Weinheim), March 26, 2014, Letnik: 26, Številka: 12Journal Article
From time‐resolved luminescence measurements it is demonstrated that the background concentration of excitonquenching defects in a range of organic semiconductors is the same as their electron‐trap concentration. This observation suggests that the exciton‐quenching defects and the electron traps share the same origin. The typical exciton diffusion length of 5–8 nm for organic semiconductors is therefore governed by the distance between the universal electron traps.
![loading ... loading ...](themes/default/img/ajax-loading.gif)
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.