First Demonstration of Amplification at 1 THz Using 25-nm InP High Electron Mobility Transistor Process

E-viri

Recenzirano

First Demonstration of Amplification at 1 THz Using 25-nm InP High Electron Mobility Transistor Process

Xiaobing Mei; Yoshida, Wayne; Lange, Mike; Lee, Jane; Zhou, Joe; Po-Hsin Liu; Leong, Kevin; Zamora, Alex; Padilla, Jose; Sarkozy, Stephen; Lai, Richard; Deal, William R.

IEEE electron device letters, 2015-April, 2015-4-00, Letnik: 36, Številka: 4

Journal Article

We report the first ever terahertz monolithic integrated circuit amplifier based on 25-nm InP high electron mobility transistor (HEMT) process demonstrating amplification at 1 THz (1000 GHz) with 9-dB measured gain at 1 THz. This milestone was achieved with a 25-nm InP HEMT transistor, which exhibits 3.5-dB maximum available gain at 1 and 1.5 THz projected f MAX .

Išči dalje

Avtor

Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.

Leto	Faktor vpliva		Izdaja		Kategorija		Razvrstitev
Leto	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP

Povezave do osebnih bibliografij avtorjev	Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS

Vir: Osebne bibliografije in: SICRIS

Naloži sliko

Vnos na polico

Dodajanje gradiva na polico je uspelo.

Dodajanje gradiva na polico je spodletelo.

Dodajanje gradiva na polico ni bilo potrebno.

Trajna povezava

E-pošta

Faktor vpliva

Izberite knjižnično izkaznico:

Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana

Citiranje

Tema