E-viri
Recenzirano
Odprti dostop
-
Fur, N.; Belanche, M.; Martinella, C.; Kumar, P.; Bathen, M. E.; Grossner, U.
IEEE transactions on nuclear science, 08/2023, Letnik: 70, Številka: 8Journal Article
Deep level transient spectroscopy (DLTS) and minority carrier transient spectroscopy (MCTS) are used to investigate electrically active defects in commercial SiC Schottky power diodes after heavy-ion microbeam irradiation at different voltages. The DLTS and MCTS spectra of pristine samples are analysed and compared to devices showing or not signatures of Single Event Leakage Current (SELC) degradation. An additional peak labelled 'C' with an activation energy of 0.17 eV below the conduction band edge is observed in the DLTS spectra of a sample degraded with SELC.
![loading ... loading ...](themes/default/img/ajax-loading.gif)
Vnos na polico
Trajna povezava
- URL:
Faktor vpliva
Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.
Leto | Faktor vpliva | Izdaja | Kategorija | Razvrstitev | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP | JCR | SNIP |
Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana
Ime baze podatkov | Področje | Leto |
---|
Povezave do osebnih bibliografij avtorjev | Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS |
---|
Vir: Osebne bibliografije
in: SICRIS
To gradivo vam je dostopno v celotnem besedilu. Če kljub temu želite naročiti gradivo, kliknite gumb Nadaljuj.