High-Performance ZnO Transistors Processed Via an Aqueous Carbon-Free Metal Oxide Precursor Route at Temperatures Between 80-180 °C

E-viri

Recenzirano Odprti dostop

High-Performance ZnO Transistors Processed Via an Aqueous Carbon-Free Metal Oxide Precursor Route at Temperatures Between 80-180 °C

Lin, Yen-Hung; Faber, Hendrik; Zhao, Kui; Wang, Qingxiao; Amassian, Aram; McLachlan, Martyn; Anthopoulos, Thomas D.

Advanced materials, August 21, 2013, Letnik: 25, Številka: 31

Journal Article

An aqueous and carbon‐free metal‐oxide precursor route is used in combination with a UV irradiation‐assisted low‐temperature conversion method to fabricate low‐voltage ZnO transistors with electron mobilities exceeding 10 cm2/Vs at temperatures <180 °C. Because of its low temperature requirements the method allows processing of high‐performance transistors onto temperature sensitive substrates such as plastic.

Išči dalje

Avtor

Dostop do baze podatkov JCR je dovoljen samo uporabnikom iz Slovenije. Vaš trenutni IP-naslov ni na seznamu dovoljenih za dostop, zato je potrebna avtentikacija z ustreznim računom AAI.

Leto	Faktor vpliva		Izdaja		Kategorija		Razvrstitev
Leto	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP	JCR	SNIP

Povezave do osebnih bibliografij avtorjev	Povezave do podatkov o raziskovalcih v sistemu SICRIS

Vir: Osebne bibliografije in: SICRIS

Naloži sliko

Vnos na polico

Dodajanje gradiva na polico je uspelo.

Dodajanje gradiva na polico je spodletelo.

Dodajanje gradiva na polico ni bilo potrebno.

Trajna povezava

E-pošta

Faktor vpliva

Izberite knjižnično izkaznico:

Baze podatkov, v katerih je revija indeksirana

Citiranje

Tema