Bu çalışmada WIEN2k bilgisayar programı kullanılarak ideal ve bükülmüş grafenin elektron yoğunluğu, durum yoğunluğu ve band yapısı elde edilmiştir. Burada ideal ve bükülmüş grafenin 2x2x1, 2x3x1 ve 3x2x1 boyutları çalışılmıştır. Her bir nanoşerit için 100, 200, 300 ve 500 k noktası kullanılmıştır. Elektronik durum yoğunluğu ve band yapıları, kristalin yarıiletken özellik sergilediğini göstermektedir. Yarıiletken özellik gösteren ideal ve ideal olmayan kristallerin yasak band aralığı, ideale göre ideal olmayan (bükülmüş) kristalde daha büyüktür. İdeal grafende gözlenen sıfıra çok yakın yasak band aralığı malzemenin metal özelliğine yatkınlığını ortaya koymaktadır. Ancak, genel anlamda, yarıiletken özelliğinin dikkat çektiğini gördüğümüz bükülmüş grafenin yasak band aralığı yaklaşık 0.7-1.9 eV aralığında değer almıştır.